国家存储器基地项目落在武汉，选址在哪里，此次国家存储器基地一期二期进展如何了，国家存储器基地是几级？规划面积多大，投资多少钱，国家存储器基地这个还在进展当中，三期有消息吗，下面一起了解下吧。
国家存储器项目落户武汉
选址：武汉光谷（武汉市东西湖区未来二路以东, 未来三路以西, 科技五路以北）
国家存储器基地一期
基本情况：企业为长江存储科技有限责任公司，新建芯片生产厂房、研发大楼及相关配套设施，建设产能为10万片/月的先进存储器产品生产线。
最新进展：国家存储器项目一期总部研发大楼验收工作，现已完成消防、质量验收，室外绿化工程正在施工，已基本完成;跨未来三路封闭连廊完成内部装修，已投入使用;未来馆完成桩基施工及土方开挖，正在进行四层主体结构施工。
国家存储器基地二期
国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，总投资1600亿元，规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房。预计2020年，整个项目完成，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。目前，长江存储器基地一期已实现量产。
报道，湖北省政协委员、长江存储科技有限责任公司人介绍，随着国家存储器基地项目一期的实施，区域产业带动成效初显。
当前以及今后一段时间，他们的首要任务是推进产能爬坡，如期达成月产能10万片，并尽快启动二期建设，建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应，带动全省产业发展。
最新进展：6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设
一期二期规划
其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片
